長庚大學磊晶實驗室 產學研肯定


長庚大學磊晶實驗室 產學研肯定

以「磊晶研究論證、共創產學雙贏」為主軸,長庚大學電子系副教授林瑞明,於2005年建置「長庚大學化合物半導體磊晶實驗室」,開發「常壓有機金屬氣相磊晶(APMOCVD)氮化合物技術平台。該實驗室在氮化合物的發展與成果,受到產、學、研各界的肯定與技術合作。在實驗室的建置規模及氮化合物磊晶技術的發展上,是國內各大學中在常壓氮化合物磊晶開發的領頭羊之一。
該技術平台主要開發氮化合物高效率、高功率發光二極體以及高功率高速元件,計發表國際期刊論文65篇。近來研究「高驅動電流下LED光效下降」(Efficiency Droop)」,經由磊晶實驗論證,能有效的使藍光發光二極體操作在1安培的電流下,Efficiency Droop只下降7%,此研究成果已發表在國際知名期刊。2010年至今,藍光二極體在高驅動電流下光效下降機制的研究成果,相繼被國際專業雜誌Compound Semiconductor報導3次及Semiconductor Today報導2次。

林瑞明表示,實驗室擁有兩套日本大陽日酸MOCVD及化合物半導體量測實驗室(含光電量測主要設備)。可培育氮化合物磊晶、製程與量測人才。

未來將持續致力於氮化合物磊晶創新技術開發,包括發展發展圖形化基底(PSS)技術、高效率綠光、研究LED內量子效率「Droop」的機制,結合產業界的資源共同努力。

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